Snapdragon 835 z Quick Charge 4 zapowiedziany. Jego produkcją zajmie się Samsung

Snapdragon 835 z Quick Charge 4 zapowiedziany. Jego produkcją zajmie się Samsung

Keith Kressin oraz Ben Suh ze Snapdragonem 835 - pierwszym 10-namometrowym układed
Keith Kressin oraz Ben Suh ze Snapdragonem 835 - pierwszym 10-namometrowym układed
Miron Nurski
17.11.2016 15:44, aktualizacja: 17.11.2016 17:04

Qualcomm oficjalnie zapowiada swój przyszłoroczny topowy układ, którym będzie Snapdragon 835. Co o nim wiadomo?

Samsung i Qualcomm schodzą do 10 nm

Snapdragon 835 będzie produkowany przez Samsunga z wykorzystaniem jego 10-nanometrowej technologii FinFET. Obecny topowy chipset Qualcomma - Snapdragon 820/821 - wykorzystuje proces FinFET 14 nm.

Zmiana procesu litograficznego ma się przełożyć na:

  • zwiększenie efektywności powierzchni o 30 proc.;
  • wzrost wydajności o 27 proc.;
  • obniżenie zapotrzebowania na energię o 40 proc.;
  • zmniejszenie wielkości układu, co pozwoli chociażby na budowanie smuklejszych urządzeń lub stosowanie większych baterii.

Oczywiście dane te odnoszą się wyłącznie do różnić między samymi procesami technologicznymi, więc nie jest powiedziane, że Snapdragon 835 będzie dokładnie o tyle lepszy od Snapdragona 820. Wydajność czy zapotrzebowanie na energię uzależnione będą także od innych czynników takich jak liczba i rodzaj rdzeni czy częstotliwość ich taktowania, a na ten temat Qualcomm na razie milczy.

Snapdragon 835 będzie wspierać technologię Quick Charge 4

Nowy SoC to także nowa wersja technologii szybkiego ładowania. Oto, czym chwali się Qualcomm:

  • o 20 proc. szybsze ładowanie względem Quick Charge 3.0;
  • baterię będzie można naładować do połowy w 15 minut lub mniej;
  • 5 minut ładowania wystarczy na 5 godzin używania telefonu;
  • trzecia generacja algorytmu INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) ma w czasie rzeczywistym monitorować temperaturę baterii i uzależniać od niej szybkość transferu energii.

Nowa technologia jest oczywiście kompatybilna ze standardem USB typu C.

HTC 10 z baterią o dość standardowej dla flagowców pojemności 3000 mAh, dzięki technologii Quick Charge 3.0 może zostać naładowany w ok. 90 minut. Jeśli Quick Charge 4 ma ładować telefon o 20 proc. szybciej, czas ten powinien się skrócić do nieco ponad 70 minut.

Pierwsze smartfony ze Snapdragonem 835 ujrzymy w pierwszej połowie 2017 roku

Pierwszą porcję flagowców z nowym układem powinniśmy ujrzeć na targach MWC 2017, które startują 27 lutego przyszłego roku. Wcześniej Qualcomm będzie zapewnie ujawniał kolejne szczegóły na temat 835-tki, bo na razie nie ma tego wiele.

Niewykluczone jednak, że wyścig na pierwszego smartfona z nowym Snapdragonem znów wygra jakiś chińczyk.

Źródło artykułu:WP Komórkomania
Oceń jakość naszego artykułuTwoja opinia pozwala nam tworzyć lepsze treści.
Wybrane dla Ciebie
Komentarze (0)