Samsung zapowiada szybkie pamięci DRAM dla smartfonów i tabletów

Wygląda na to, że Samsung nie zamierza spocząć na laurach. Po prezentacji potężnego smartfona Galaxy S II i tabletu Galaxy Tab 10.1 przyszła kolej na zapowiedź nowych pamięci, które znajdą zastosowanie w przyszłych urządzeniach.

Nowe pamięci DRAM Samsunga zostały wykonane w procesie technologicznym 50 nm (nanometrów) i możemy się spodziewać, że będą piekielnie szybkie. Już sama specyfikacja nowych układów napawa optymizmem. Według zapowiedzi pamięci DRAM tego typu charakteryzują się przepustowością do 12.8 GB/s, co w porównaniu ze starszą technologią jest ogromnym krokiem naprzód.

Obecnie wykorzystywane DDR DRAM pozwalają na 9-krotnie wolniejszą transmisję, czyli przesył rzędu 1,6 GB/s. Prędkość  nowych pamięci Samsunga nie jest ich jedyną zaletą. Producent chwalił się także niskim poborem energii, który w stosunku do poprzedników został zredukowany aż o 87%.

Samsung niestety nie podał informacji, kiedy planuje wprowadzić na rynek pierwsze urządzenia wyposażone w ten typ pamięci. Zapowiedział natomiast, że w planach ma jeszcze szybsze moduły wykorzystujące proces technologiczny 20 nm, lecz zobaczymy je najprawdopodobniej w 2013 roku.

Źródło: GSMArena