Samsung zapowiada szybkie pamięci DRAM dla smartfonów i tabletów

DRAM
DRAM
Tomasz Hamryszak

22.02.2011 18:20, aktual.: 22.02.2011 19:20

Zalogowani mogą więcej

Możesz zapisać ten artykuł na później. Znajdziesz go potem na swoim koncie użytkownika

Wygląda na to, że Samsung nie zamierza spocząć na laurach. Po prezentacji potężnego smartfona Galaxy S II i tabletu Galaxy Tab 10.1 przyszła kolej na zapowiedź nowych pamięci, które znajdą zastosowanie w przyszłych urządzeniach.

Nowe pamięci DRAM Samsunga zostały wykonane w procesie technologicznym 50 nm (nanometrów) i możemy się spodziewać, że będą piekielnie szybkie. Już sama specyfikacja nowych układów napawa optymizmem. Według zapowiedzi pamięci DRAM tego typu charakteryzują się przepustowością do 12.8 GB/s, co w porównaniu ze starszą technologią jest ogromnym krokiem naprzód.

Obecnie wykorzystywane DDR DRAM pozwalają na 9-krotnie wolniejszą transmisję, czyli przesył rzędu 1,6 GB/s. Prędkość  nowych pamięci Samsunga nie jest ich jedyną zaletą. Producent chwalił się także niskim poborem energii, który w stosunku do poprzedników został zredukowany aż o 87%.

Samsung niestety nie podał informacji, kiedy planuje wprowadzić na rynek pierwsze urządzenia wyposażone w ten typ pamięci. Zapowiedział natomiast, że w planach ma jeszcze szybsze moduły wykorzystujące proces technologiczny 20 nm, lecz zobaczymy je najprawdopodobniej w 2013 roku.

Źródło: GSMArena

Źródło artykułu:WP Komórkomania
Oceń jakość naszego artykułuTwoja opinia pozwala nam tworzyć lepsze treści.
Wybrane dla Ciebie
Komentarze (0)