Smartfony z 4 GB pamięci RAM już niebawem

SK Hynix (niegdyś Hyundai Electronics) jest drugim po Samsungu producentem pamięci. Firma pochwaliła się dziś, że wysłała do swoich klientów pamięci nowej generacji i że planuje rozpocząć masową produkcję pod koniec tego roku.

Nowe kości LPDDR3 (LP oznacza low power) są wykonane w 20 nm procesie litograficznym i mają pojemność 8 Gb. Można połączyć cztery kości, dzięki czemu możliwe będzie tworzenie smartfonów wyposażonych w 4 GB pamięci RAM (4 x 8 Gb).

W zeszłym miesiącu nowe pamięci LPDDR3 wykonane w identycznym procesie zaprezentował także Samsung, ale mają one pojemność 4 Gb (maksymalna pojemność przy czterech kościach to 2 GB). SK Hynix pod względem technologii wyprzedził rynkowego lidera.

Nowe pamięci LPDDR3 Samsunga i SK Hynix mają przepustowość 2133 Mb/s. Poprzednia generacja pamięci wykonana w 30 nm procesie technologicznym cechowała się przepustowością 1600 Mb/s. Różnica wpłynie korzystnie na ogólną wydajność urządzeń.

Niewykluczone, że pierwsze smartfony z 4 GB pamięci LPDDR3 firmy SK Hynix pojawią się już na początku przyszłego roku. Wcześniej do sprzedaży trafią zapewne urządzenia Samsunga z nowymi pamięciami, ale - z powodów, które opisałem wcześniej - będą one zapewne wyposażone w 2 GB pamięci.

A kiedy będzie można kupić smartfony z pamięciami o większej pojemności niż 4 GB? Najpierw muszą pojawić się 64-bitowe układy ARM.

Źródło: SK Hynix • PhoneArena