Smartfony z 4 GB pamięci RAM już niebawem
Przyszłoroczne flagowe modele mogą mieć 4 GB pamięci RAM. Koreańska firma SK Hynix dostarczyła producentom sprzętu pierwsze pamięci nowej generacji.
SK Hynix (niegdyś Hyundai Electronics) jest drugim po Samsungu producentem pamięci. Firma pochwaliła się dziś, że wysłała do swoich klientów pamięci nowej generacji i że planuje rozpocząć masową produkcję pod koniec tego roku.
Nowe kości LPDDR3 (LP oznacza low power) są wykonane w 20 nm procesie litograficznym i mają pojemność 8 Gb. Można połączyć cztery kości, dzięki czemu możliwe będzie tworzenie smartfonów wyposażonych w 4 GB pamięci RAM (4 x 8 Gb).
W zeszłym miesiącu nowe pamięci LPDDR3 wykonane w identycznym procesie zaprezentował także Samsung, ale mają one pojemność 4 Gb (maksymalna pojemność przy czterech kościach to 2 GB). SK Hynix pod względem technologii wyprzedził rynkowego lidera.
Nowe pamięci LPDDR3 Samsunga i SK Hynix mają przepustowość 2133 Mb/s. Poprzednia generacja pamięci wykonana w 30 nm procesie technologicznym cechowała się przepustowością 1600 Mb/s. Różnica wpłynie korzystnie na ogólną wydajność urządzeń.
Niewykluczone, że pierwsze smartfony z 4 GB pamięci LPDDR3 firmy SK Hynix pojawią się już na początku przyszłego roku. Wcześniej do sprzedaży trafią zapewne urządzenia Samsunga z nowymi pamięciami, ale - z powodów, które opisałem wcześniej - będą one zapewne wyposażone w 2 GB pamięci.
A kiedy będzie można kupić smartfony z pamięciami o większej pojemności niż 4 GB? Najpierw muszą pojawić się 64-bitowe układy ARM.
Źródło: SK Hynix • PhoneArena
