Nie tylko Asus ZenFone AR. Kolejne smartfony z 8 GB RAM-u już wkrótce

Niedawno, bo koniec października ubiegłego roku, Samsung zapowiedział nowe mobilne pamięci DRAM LPDDR4 o pojemności 8 GB wykonane w procesie 10 nm. Teraz czas na odpowiedź jednego z jego najgroźniejszych rywali na tym rynku.

Firma SK Hynix zapowiedziała dzisiaj kości DRAM LPDDR4X o pojemności 8 GB. Nowe pamięci, które złożone są z dwukanałowych czipów 16 Gb, przygotowano z myślą o flagowych smartfonach mających pojawiać się w tym roku na rynku. Mają one sporo przewaga nad rozwiązaniem LPDDR4.

Hynix pochwalił się, że jego najnowsze pamięci mobilne mają przepustowością na poziomie 34,1 GB/s (przy 64-bitowych operacjach wejścia/wyjścia). Największymi zaletami kości LPDDRX mają być jednak zmniejszone (nawet o 20 proc.) zapotrzebowanie na energię oraz jeszcze mniejsze wymiary:

• pamięci LPDDR4X pracują przy 0,6 V, co jest zauważalnym skokiem w porównaniu do 1,1 V w przypadku modułów LPDDR4;
• wymiary kości LPDDR4X to 12 x 12,7 x 1 mm, a więc są o 30 proc. mniejsze niż kości LPDDR4 (15 x 15 x 1 mm).

Firma spodziewa się, że nowe rozwiązanie spodoba się producentom, którzy dzięki nim będą mogli zaoszczędzić nieco miejsca wewnątrz smartfona. Różnica nie jest wielka, ale dla gigantów ważny jest oczywiście każdy milimetr.

Asus na targach CES 2017 zapowiedział ZenFone'a AR, czyli pierwszego smartfona z 8 GB pamięci DRAM. Nikogo nie powinno więc zdziwić, gdy wkrótce - zapewne na MWC 2017 w Barcelonie - zostaną pokazane kolejne modele z pamięcią RAM o tej pojemności. W większości będą to urządzenia chińskich producentów.

Ostatnie plotki sugerują dodatkowo, że Samsung kości o pojemności 8 GB może wsadzić do nadchodzącego flagowca (Galaxy S8). Co ciekawe, plotki wskazują na wykorzystanie rozwiązania LPDDR4X. Czy chodzi o nowe pamięci firmy SK Hynix? Cóż, o tym przekonamy się zapewne dopiero po premierze urządzenia.