W Samsungu strzelają korki od szampana. Firma ma powody do świętowania

Do zbudowania pierwszych czipów wykonanych w procesie litograficznym 3 nm wykorzystano nową technologię tranzysterową o nazwie GAA (Gate-All-Around). Docelowo ma ona zastąpić rozwiązanie FinFET, pozwalając na zwiększenie zagęszczenia tranzystorów.

Badania związane z technologią GAA Samsung rozpoczął na początku tysiąclecia. Prace związane z 3-nanometrowym procesem litograficznym ruszyły w roku 2017. Pięć lat później pierwsza partia gotowych czipów ruszyła do klientów.

Samsung deklaruje, że - w porównaniu z 5 nm FinFET - czipy 3 nm GAA cechują się o 45 proc. niższym zużyciem energii, o 23 proc. wyższą wydajnością oraz o 16 proc. mniejszą powierzchnią.

Aby uświadomić sobie, o jakim przełomie mówimy, warto odnotować, że pojedynczy atom krzemu ma średnicę nieco ponad 0,2 nm. Tranzystory czipów 3 nm budowane są z uwzględnieniem już nie setek czy dziesiątek, ale pojedynczych atomów.

10 lat temu - gdy w smartfonach rządziły procesy litograficzne na poziomie 32 nm - optymistyczne scenariusze zakładały, że w przyszłości uda się opracować czipy 7 nm. Eksperci spierali się jednak wówczas o to, czy możliwe będzie produkowanie takich układów na masową skalę. Tymczasem jednostki 3 nm już są.

Samsung ogłosił, że w pierwszej kolejności jednostki 3 nm GAA trafią do superkomputerów. Zapewnił jednocześnie, że trwają prace nad użyciem nowej technologii w różnych grupach produktów, w tym w smartfonach.

Na kolejny duży skok możliwości flagowych telefonów - które dziś bazują na czipach 4 nm - będziemy musieli najpewniej poczekać do 2023 lub 2024 roku.

Miron Nurski, redaktor prowadzący Komórkomanii