Samsung prezentuje nowe pamięci. Flagowce z 1 TB na dane niebawem na rynku

W doniesieniach na temat topowej wersji Galaxy S10+ z pamięcią 1 TB może być sporo prawdy. Samsung zaprezentował bowiem pamięci eUFS 2.1 o tej właśnie pojemności, które wprowadzono już do masowej produkcji.

Rok temu zapowiedziana została pamięć Universal Flash Storage 3.0, ale zanim będzie ona szeroko dostępna Samsung postanowił wycisnąć jeszcze więcej z poprzedniej wersji standardu. Firma zaprezentowała rozwiązanie eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) o powalającej pojemności 1 TB, które bazują na kościach V-NAND piątej generacji.

Najnowsza wbudowana pamięć UFS 2.1 (zintegrowane z płytą główną) ma te same rozmiary co rozwiązanie o pojemności 512 GB (11,5 x 13 mm), ale została nieco inaczej zbudowana. Samsung złożył ją z 16 kości V-NAND, a do tego dołożył nowy autorski kontroler, dzięki czemu osiągnięta lepszą szybkość transferu danych.

Firma chwali się, że prędkość ciągłego zapisu dla eUFS 2.1 o pojemności 1 TB wyniesie aż 1000 MB/s, a losowy zapis osiąga poziom 58 000 IOPS (operacji wejścia/wyjścia na sekundę). Wzrost jest więc wyraźny względem kości dostępnych obecnie na rynku.

Dla porównania warto dodać, że komputerowe 2,5-calowe dyski SSD SATA cechuje prędkość ciągłego odczytu na poziomie ok. 540 MB/s, ale modele przygotowane pod złącza M.2 czy PCI-Express osiągają nawet 3500 MB/s.

Główną zaletą nowych eUFS 2.1 jest oczywiście sama pojemność 1 TB. W urządzeniu wyposażonym w tę pamięć można składować nawet 260 materiałów w 4K UltraHD (3840 x 2160 pikseli) o długości 10 min każdy. Eliminuje to w dużej mierze konieczność stosowania kart pamięci. Tym bardziej, że typowe nośniki są 10-krotnie wolniejsze, więc ich stosowanie może odbić się na pracy smartfonu.

Samsung pochwalił się, że eUFS 2.1 1 TB będzie świetnie sprawdzać się w modelach wyposażonych w aparaty z kilkoma obiektywami. Zagwarantuje szybszy jednoczesny zapis danych z poszczególnych sensorów. Inną zaletą jest możliwość ciągłego materiału w dużej rozdzielczości rejestrowanego przy 960 kl/s (super slow motion).

Samsung zdradził, że nowe pamięci trafiły od razu do masowej produkcji, którą zajmuje się m.in. fabryka w koreańskim mieście Pyeongtaek. Jasne jest, że przez wysoką cenę kości te nie trafią do standardowych wersji high-endowych smartfonów, ale w pierwszej połowie 2019 roku mogą pojawić się topowe warianty flagowców z pamięcią 1 TB.

Pierwszym z nich może być oczywiście Galaxy S10 X, o którym więcej dowiecie się stąd.