Snapdragon 835 to nowa propozycja amerykańskiej firmy, która przygotowana została z myślą o przyszłorocznych flagowcach. Qualcomm póki co był jednak dość oszczędny w ujawnianiu informacji na jej temat - firma ograniczyła się do zapowiedzi wykorzystania procesu litograficznego 10 nm FinFET Samsunga i wsparcia dla ulepszonego standardu szybkiego ładowania (Quick Charge 4.0).
Amerykanie z pewnością zdradzą niebawem kolejne informacje, ale wcześniej poznaliśmy pierwsze konkrety dotyczące budowy układu. Testowy sprzęt z nowym Snapdragonem 835 trafił bowiem do bazy programu GFXBench.
Qualcomm stawia na osiem rdzeni
Jeżeli przecieki się potwierdzą, a wiele na to wskazuje, można spodziewać się jednostki z ośmioma rdzeniami ARM o maksymalnym taktowaniu do 2,2 GHz. Na razie można domyślać się jedynie jakie rozwiązania wykorzystał Qualcomm.
Ostatnie doniesienia z Chin sugerowały, że firma postawi na nowe rdzenie Kryo 200, które będą ulepszone względem tych z modeli 820 i 821. Cztery powinny pracować z taktowaniem do 2,2 GHz, a pozostałe z nieco niższym. Dane mówiły również, że Snapdragon 835 ma ponadto:
- wspierać dwukanałową pamięci RAM LPDDR4 1866 MHz;
- obsługiwać pamięć UFS 2.1;
- mieć wbudowany modemu LTE X16.
Jak wydajne będzie nowe Adreno 540?
Sprawa jest jasna w przypadku układu graficznego. Qualcomm - zgodnie z licznymi sugestiami - zastosuje nowe Adreno 540. O możliwościach układu nie wiemy jeszcze za wiele, ale dane z GFXBench wskazują na zauważalny skok wydajności - ok. 30 proc. względem Adreno 530 ze Snapdragona 821.
Gwoli ścisłości dodam, że testowy sprzęt oparty był na Androidzie 7.0 Nougat, a na jego pokładzie znalazły się m.in.:
- 5,9-calowy ekran QuadHD (2560 x 1440 pikseli);
- 4 GB pamięci RAM i 64 GB pamięci wbudowanej;
- aparat główny 20 Mpix i przednia kamerka 12 Mpix.
To dopiero początek
Można już przyjąć, że znamy podstawowe dane dotyczące Snapdragona 835, ale to jeszcze nic. Qualcomm z zanadrzu trzyma zapewne całą masę nowych technologii i rozwiązań, które układ będzie wspierał. Będą one prezentowane z czasem.